YJD80G06C

RoHS YJD80G06C COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 80A <7.5 mohm <9.5 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 46

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMO030N06LG4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= CJU70N06 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
P= WMO80N06TS (WAYON)
 
в ленте 2500 шт
 
P= NCE6080K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
P= CRTD105N06L (CRMICRO)
 
TO252
P= WMO048NV6LG4 (WAYON)
 
1 шт
 
P= WMO076N06LG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO060N06LG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO50N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- CJU50N06A (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
P- NCE6050KA (NCE)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
P- IRLR2705TRPBF-VB (VBSEMI)
 
 
P- NCE6020AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
P- CS100N06A4 (CRMICRO)
 
TO252 5000 шт
P- WMO25N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- CJU20N06A (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
P- CJU40SN06 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
P- CS25N06C4 (CRMICRO)
 
TO252
 
P- IRLR2705TRPBF (JSMICRO)
 

IRLR2705TRPBF (INFIN)
 
P- IRFR1018E (EVVO)
 
TO252 2500 шт
 
P- IRLR2705 (EVVO)
 

IRLR2705 (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- JMTK290N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- JMSL0606AKQ (JIEJIE)
 
 
P- JMTK110N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO80N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ CS120N06C8 (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
A+ WMB040N08HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB034N06HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO100N07T1 (WAYON)
 
TO252
 
A+ WMO048NV6HG4 (WAYON)
 
 
A+ WMM90N08TS (WAYON)
 
TO263
 
A+ YJG80G06B (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ YJD90N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ YJB150G06AK (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
A+ WMK80N06T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ CRST055N07N (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 5000 шт
 
A+ YJG95G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ JMTK060N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ NCE60H15AT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMB048NV6LG4 (WAYON)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ WMO030N06HG4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ CJAC13TH06 (JSCJ)
 
в ленте 5000 шт
 
±
A+ JMSH0804NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ JMTG060N06A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ WMB025N06HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD80G06C COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 80A <7.5 mohm <9.5 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Industrial and Motor Drive application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V Tc=25℃ Unit 80 Drain Current (Silicon limited) ID A Tc=100℃ 50 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 240 A EAS 150 mJ Tc=25℃ 78 Total Power Dissipation C PD W Tc=100℃ 31 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55~+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 15 20 40 50 1.3 1.6 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD80G06C F1/F2 YJD80G06C 2500 2500 25000 13“ reel 1/6 S-E143 Rev.1.1,01-Apr-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD80G06C 

Microsoft Word - YJD80G06C

Дата модификации: 02.04.2022

Размер: 1.02 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.