HKTD4N65

Hottech
HKTD4N65 N-CHANNEL Power MOSFET FEATURES  VDS:650V, I D: 4A Max.  RDS(ON) :2.6Ω(max.)@ VGS =10V,,ID=1A  High density nsity cell design for ultra low on-resistance  Fully characterized avalanche voltage and current TO--252 MECHANICAL DATA     Case: TO-252 UL flammability 94V-0 Case material: Molded Plastic. U Weight:0.33grams(approximate e) Marking:D4N65 EQUIVALENT CIRCUIT ess other...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML6N80D1 (WAYON)
 
— в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ WMF07N70C2 (WAYON)
 
SOT-223 — — —
A+ TSM80N950CI C0G (TSC)
 
TO220AC 50 шт
 
 — —
A+ TSM70N750CP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт — —
A+ TSM70N600CP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт — —
A+ TSM70N600CH C5G (TSC)
 
TO251 75 шт
 
 — —
A+ WML09N70C2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
 — — —
A+ WMK07N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — —
A+ WMP07N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —
A+ WMP11N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —
A+ WMO07N65C2 (WAYON)
 
TO252
 
 — — —
A+ WMM10N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ WMM09N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ STD3NK50ZT4 (VBSEMI)
 
— 2500 шт
 
 — —
A+ IRFR420ATRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 2500 шт
 
 — —
A+ IRFR320TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 2500 шт
 
 — —
A+ CRJD900N70G2 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
HKTD4N65 N-CHANNEL Power MOSFET FEATURES  VDS:650V, I D: 4A Max.  RDS(ON) :2.6Ω(max.)@ VGS =10V,,ID=1A  High density nsity cell design for ultra low on-resistance  Fully characterized avalanche voltage and current TO--252 MECHANICAL DATA     Case: TO-252 UL flammability 94V-0 Case material: Molded Plastic. U Weight:0.33grams(approximate e) Marking:D4N65 EQUIVALENT CIRCUIT ess otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unle Param meter bol Symbo Value Unit Drain-source voltage VDS 650 V Gate-source voltage VGS ±30 V Continuous drain current, VGS=10V ID 4 A Pulsed drain current (Note 1) IDM 16 A Power dissipation PD 23.1 W Thermal resistance from junction unction to ambient RθJA 100 °C/W Operating junction and storage torage temperature TJ,TSTG -55~+150 °C Single Pulsed Avalanche Energy (note 1) EAS 250 mJ TL 260 °C Lead Temperature for Soldering Purposes (1/8’’ from case for 10s) Note: 1. EAS condition: VDD=20V,L=0.5mH, RG=25Ω, Starting TJ = 25°C ©GUANGDONGHOTTECHINDUSTRIALCO.,LTD D E-mail:hkt@heketai.com 1/ 5 PDF
Документация на HKTD4N65 

Subject:

Дата модификации: 20.06.2022

Размер: 4.24 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    22 июня
    статья

    30 лет на рынке силовой электроники: продукция Hottech для промышленности и электромобилей

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ), Сергей Сотников (КОМПЭЛ) Shenzhen Hottech Electronics Co., Ltd. (торговая марка HKT) – китайский производитель силовых полупроводников и пассивных компонентов, основанный в 1992 году. Штаб–квартира расположена в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)