IRLML0100

IRLML0100 LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES Ultra low on-resistance:VDS=100V,RDS(ON)=235mΩ@VGS=10 V,ID=1.6A For Low power DC to DC converter application For Load switch application Surface Mount device     SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 2...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJL03G10A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJH03N10A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт
A+ S-LN2292LT1G (LRC)
 
 
±
A+ LN2296LT1G (LRC)
 
в ленте 3000 шт
 
±
A+ LN2292LT1G (LRC)
 
 
±
A+ LN01N200TZHG (LRC)
 
SOT-223 ±
A+ LN01N100TZHG (LRC)
 
±
A+ NCE0103Y (NCE)
 
SOT233L
 
±
A+ NCE0103M (NCE)
 
SOT-89 30 шт ±
A+ NCE0102 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ JMSL10130AL-7 (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ TSM2328CX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ CJA03N10S (JSCJ)
 
SOT893L в ленте 1000 шт
 
±
A+ YJJ03G10A (YJ)
 
34 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
IRLML0100 LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES Ultra low on-resistance:VDS=100V,RDS(ON)=235mΩ@VGS=10 V,ID=1.6A For Low power DC to DC converter application For Load switch application Surface Mount device     SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Parameter Symbol VDS VGS TA=25℃ TA=70℃ Continuous Drain Current @ VGS=10V Pulsed Drain Current TA=25℃ TA=70℃ Power Dissipation Thermal Resistance.Junction- to-Ambient (Note.1) Linear Derating Factor Junction Temperature Storage Temperature Range ID IDM PD RthJA TJ Tstg Rating 100 ±16 1.6 1.3 7 1.3 0.8 100 99 0.01 150 -55 to 150 Unit V A W ℃/W W/℃ ℃ Note.1: Surface mounted on 1 in square Cu board Electric Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Drain-Source Breakdown Voltage Symbol VDSS Zero Gate Voltage Drain Current IDSS Gate-Body Leakage Current Gate Threshold Voltage IGSS VGS(th) Static Drain-Source On-Resistance (Note.1) RDS(On) Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Gate Resistance Total Gate Charge Gate Source Charge Gate Drain Charge Turn-On DelayTime Turn-On Rise Time Turn-Off DelayTime Turn-Off Fall Time Body Diode Reverse Recovery Time Body Diode Reverse Recovery Charge Maximum Body-Diode Continuous Current Pulsed Source Current Diode Forward Voltage gFS Ciss Coss Crss Rg Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf trr Qrr IS ISM VSD Test Conditions ID=250μA, VGS=0V VDS=100V, VGS=0V VDS=100V, VGS=0V, TJ=125℃ VDS=0V, VGS=±16V VDS=VGS , ID=250μA VGS=4.5V, ID=1.3A VGS=10V, ID=1.6A VDS=50V, ID=1.6A VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz VGS=4.5V, VDS=50V, ID=1.6A VGS=4.5V, VDS=50V, ID=1A,RGEN=6.8Ω VR=50V,IF= 1.1A, dI/dt= 100A/μs , TJ = 25℃ (Note.1) (Note.2) IS=1.1A,VGS=0V,TJ = 25℃ (Note.1) Min 100 Typ 1 190 178 5.7 290 27 13 1.3 2.5 0.5 1.2 2.2 2.1 9 3.6 20 13 Max Unit V 20 μA 250 ±100 nA 2.5 V 235 mΩ 220 S pF Ω nC ns 30 20 1.1 7 1.3 nC A V Note.1: Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. Note.2:Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/4 PDF
Документация на IRLML0100 

Subject:

Дата модификации: 12.11.2020

Размер: 644.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.