YJJ03G10A

Yangjie
RoHS YJJ03G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 110V 3A ＜140 mohm ＜250 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absol...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS690N15HG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ NCEP1505S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — —
A+ LNB8960DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8936DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LN05N15TZHG (LRC)
 
SOT-223 ± — — — — — —
A+ JMSH1552AP-13 (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 2500 шт
 
 — — — —
A+ WMT05N12TS (WAYON)
 
SOT-223 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJJ03G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 110V 3A ＜140 mohm ＜250 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 110 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 3 TA=25℃ Drain Current ID A 2.4 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM 12 A Avalanche energy B EAS 8 mJ 1.5 TA=25℃ Total Power Dissipation C PD W 1.0 TA=70℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 65 80 85 100 43 52 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D E Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJL ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJJ03G10A F2 G1003 3000 30000 120000 7”Reel 1/6 S-E069 Rev.3.0,10-Apr-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJJ03G10A 

Microsoft Word - YJJ03G10A

Дата модификации: 14.10.2020

Размер: 1.28 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)