YJJ03G10A

SUNCOYJ
RoHS YJJ03G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 110V 3A ＜140 mohm ＜250 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absol...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS690N15HG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ JMSH1552AP-13 (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 2500 шт
 
 — — — —
A+ LNB8936DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LN05N15TZHG (LRC)
 
SOT-223 ± — — — — — —
A+ WMT05N12TS (WAYON)
 
SOT-223 — — — — — —
A+ WMS06N15T2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — — — — —
A+ NCEP1505S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — —
A+ LNB8960DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJJ03G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 110V 3A ＜140 mohm ＜250 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 110 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 3 TA=25℃ Drain Current ID A 2.4 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM 12 A Avalanche energy B EAS 8 mJ 1.5 TA=25℃ Total Power Dissipation C PD W 1.0 TA=70℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 65 80 85 100 43 52 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D E Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJL ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJJ03G10A F2 G1003 3000 30000 120000 7”Reel 1/6 S-E069 Rev.3.0,10-Apr-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJJ03G10A 

Microsoft Word - YJJ03G10A

Дата модификации: 14.10.2020

Размер: 1.28 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)