JMTP085P02A

JIEJIE
JMTP085P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS=-20V, ID=-15A RDS(ON) <9mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) <13mΩ @ VGS = -2.5V  PWM Applications  Load Switch 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED!  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOP-8 top view Marking and pin Assignment Schemat...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJS2022A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 12000 шт
 
 — —
P- WMS15P02T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- NCE30P25S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTP085P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS=-20V, ID=-15A RDS(ON) <9mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) <13mΩ @ VGS = -2.5V  PWM Applications  Load Switch 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED!  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOP-8 top view Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) 085P02A JMTP085P02A TAPING SOP-8 13inch 4000 48000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage -20 V VGSS Gate-Source Voltage ±12 V TA = 25℃ -15 TA= 100℃ -9.8 ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 -60 A Single Pulsed Avalanche Energy note2 56 mJ Power Dissipation TA= 25℃ 3.3 W Thermal Resistance, Junction to Ambient 38 ℃/ W -55 to +150 ℃ EAS PD RθJA TJ, TSTG Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd A Version :1.0 -1- PDF
Документация на JMTP085P02A 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 22.03.2022

Размер: 414.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)