CJMN2012

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2×2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJMN2012 N-Channel MOSFET ID RDS(on)TYP V(BR)DSS DFNWB2×2-6L-J 10mΩ@ 4.5V 13 mΩ@ 2.5V 20V 12A 1 8 mΩ@1.8V FEATURES APPLICATION  TrenchFET Power MOSFET  Load Switch for Portable Applications  Small package DFNWB2×2-6L Equivalent Circuit MARKING: N2012 XX N2012 = Part No. Solid dot = ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJQ2012A (YJ)
 
DFN2020MD6 в ленте 3000 шт
 
P- JMTV100N02A (JIEJIE)
 
DFN62X2 3000 шт
 
P- IRLHS6242TRPBF-VB (VBSEMI)
 
 
P- WMR13N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
P- IRLHS6242TRPBF (JSMICRO)
 

IRLHS6242TRPBF (INFIN)
606 шт
 
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ AO4404 (YOUTAI)
 
 
A+ WM02DN560Q (WAYON)
 
DFN83X3
 
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.