YJQ2012A

SUNCOYJ
RoHS YJQ2012A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 12A ＜13mohm ＜16mohm ＜25mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability DFN2x2-6L Applications ● PWM application ● Load switch ■ Absol...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN2020MD6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ YJQ10N02A (YJ)
 
DFN2020MD6 3000 шт
 
 —
A+ LN8210DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
 ± — — — — — —
A+ LP7203DT1WG (LRC)
 
—
 
 ± — — — — — —
A+ LN2324DT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
 ± — — — — — —
A+ CJMN2012 (JSCJ)
 
—
 
 —
A+ LNB2110LT1G (LRC)
 
SOT23LC
 
 ± — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJQ2012A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 12A ＜13mohm ＜16mohm ＜25mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability DFN2x2-6L Applications ● PWM application ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V TA=25℃ Unit 12 Drain Current ID A TA=70℃ 9.6 Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 50 A 2.5 W 1.6 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 50 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ2012A F1 N2012A 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E046 Rev.3.1,22-Feb-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ2012AF1 

Microsoft Word - YJQ2012A Rev 3.1

Дата модификации: 22.02.2021

Размер: 1.25 Мб

7 стр.

RoHS YJQ2012A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 12A ＜13mohm ＜16mohm ＜25mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability DFN2020-6L Applications ● PWM application ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 12 TA=25℃ Drain Current ID A 9.6 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 50 A 2.5 W 1.6 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 50 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ2012A F1 N2012A 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E046 Rev.3.0,25-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ2012A 

Microsoft Word - YJQ2012A Rev 3.0

Дата модификации: 24.09.2020

Размер: 1.3 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)