2N7002V

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate MOSFETS 2N7002V V(BR)DSS MOSFET (N-Channel) ID RDS(on)MAX SOT-563 5Ω@10V 60 V 6 5 115mA  7Ω@5V 4 1 2 3 FEATURE APPLICATION Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter ∙ Dual N-channel MOSFET ∙ Low on-resistance ∙ Low gate threshold voltage ∙ Low input capacitance ∙ Fast switching speed ∙ Low in...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-563
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ 2N7002DW K72 SOT-363 (JSCJ)
 
в ленте 35 шт
A+ 2N7002DW (JSCJ)
 

2N7002DW (ONS-FAIR)
SOT-323-6 SOT363 3000 шт
A+ 2N7002DW K72 (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT-363
A+ L2N7002DW1T1G (LRC)
 
в ленте 629 шт
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.