L2N7002DW1T1G
L2N7002DW1T1G
S-L2N7002DW1T1G
Small Signal MOSFET
115 mAmps, 60 Volts N–Channel SC-88
1. FEATURES
●
We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements and Halogen Free.
●
S- prefix for automotive and other applications requiring
unique site and control change requirements; AEC-Q101
SC88(SOT-363)
qualified and PPAP capable.
●
ESD Protected:1000V
2. DEVICE MARKING AN...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: L2N7002
- Корпус: —
- Норма упаковки: 629 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.