2SC1766

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SC1766 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES z Small Flat Package z High Speed Switching Time z Low Collector-emitter saturation voltage 2. COLLECTOR 3. EMITTER APPLICATIONS z Power Amplifier MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ 2SC2655 (JSCJ)
 
TO-92L-3 TO-92MOD
 
 — — — —
A+ 2SC2655-TA (JSCJ)
 
TO-92L-3 TO-92MOD
 
 — — — —
A+ 2SC2873 (JSCJ)
 
— 15 шт
 
 — — — —
A+ 2SC2873 120-240 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
 — — — —
A+ 2SC3303 (JSCJ)
 
TO-251-3L
 
 — — — —
A+ 2SC3303 TO-252-2L (JSCJ)
 
TO2522L
 
 — — — —
A+ MPS651 (JSCJ)
 

MPS651 (DIODES) 		TO-92-3 2000 шт — — — —
A+ MPS651-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ 2SC4672 (JSCJ)
 
SOT-89 100 шт
 
 — — — —
A+ 2SC4672 SOT-89 180-390 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
 — — — —
A+ 2SD1802 (JSCJ)
 
— 2500 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1815 (JSCJ)
 
TO-251-3L
 
 — — — —
A+ 2SD1835 (JSCJ)
 
TO-92-3 2000 шт — — — —
A+ 2SD1899 (JSCJ)
 
— 1 шт
 
 — — — —
A+ 2SD2391 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SD886 (JSCJ)
 
TO126
 
 — — — —
A+ KTC4379 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ SZT560A (SHIKUES)
 
SOT-223
 
 — — — —
A+ 2SD1802T (SHIKUES)
 
TO252
 
 — — — —
A+ 2SD1899K (SHIKUES)
 
TO2522L
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SC1766 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES z Small Flat Package z High Speed Switching Time z Low Collector-emitter saturation voltage 2. COLLECTOR 3. EMITTER APPLICATIONS z Power Amplifier MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 2 A PC Collector Power Dissipation 500 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 250 ℃/W -55~+150 ℃ RθJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100µA,I =E 0 50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,I =B 0 50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100µA,I =C 0 5 V Collector cut-off current = VCB=50V,IE 0 ICBO 0.1 µA Emitter cut-off current = VEB=5V,IC 0 IEBO 0.1 µA DC current gain hFE(1) = VCE=2V, IC 0.5A 82 VCE=2V, IC 2A hFE(2)*= 20 390 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=1A,IB=50mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=1A,IB=50mA 1.2 V fT Transition frequency VCE=2V,IC=0.5A,f=100MHz 120 MHz CLASSIFICATION OF hFE(1) RANK P Q Y RANGE 82–180 120–270 180–390 MARKING P1766 Q1766 Y1766 *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 2SC1766 

Microsoft Word - 2SC1766 SOT-89-3L_A_.doc

Дата модификации: 18.05.2020

Размер: 637.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)