2SC2873

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT- 89-3L 2SC2873 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES  Small Flat Package  High Speed Switching Time  Low Collector-emitter saturation voltage  Complementary to 2SA1213 APPLICATIONS  2. COLLECTOR 3. EMITTER Power Amplifier and Switching MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol P...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ D882H (JSCJ)
 
 
A+ 2SC1766 (JSCJ)
 
 
A+ 2SC2655 (JSCJ)
 
TO-92L-3 TO-92MOD
 
A+ 2SC2655-TA (JSCJ)
 
TO-92L-3 TO-92MOD
 
A+ 2SC2873 120-240 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
A+ 2SC3303 (JSCJ)
 
TO-251-3L
 
A+ 2SC3303 TO-252-2L (JSCJ)
 
TO2522L
 
A+ MPS651 (JSCJ)
 

MPS651 (DIODES)
TO-92-3 2000 шт
A+ MPS651-TA (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ 2SC4672 (JSCJ)
 
SOT-89 100 шт
 
A+ 2SC4672 SOT-89 180-390 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
A+ 2SD1802 (JSCJ)
 
2500 шт
 
A+ 2SD1815 (JSCJ)
 
TO-251-3L
 
A+ 2SD1835 (JSCJ)
 
TO-92-3 2000 шт
A+ 2SD1899 (JSCJ)
 
1 шт
 
A+ 2SD2391 (JSCJ)
 
 
A+ 2SD886 (JSCJ)
 
TO126
 
A+ KTC4379 (JSCJ)
 
 
A+ 2SD1802T (SHIKUES)
 
TO252
 
A+ 2SD1899K (SHIKUES)
 
TO2522L
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT- 89-3L 2SC2873 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES  Small Flat Package  High Speed Switching Time  Low Collector-emitter saturation voltage  Complementary to 2SA1213 APPLICATIONS  2. COLLECTOR 3. EMITTER Power Amplifier and Switching MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 2 A PC Collector Power Dissipation 500 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 250 ℃/W -55~+150 ℃ RθJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100µA,IE=0 50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100µA,IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=50V,IE=0 0.1 µA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V,IC=0 0.1 µA hFE(1) VCE=2V, IC=0.5A 70 20 DC current gain 240 hFE(2) VCE=2V, IC=2A Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=1A,IB=50mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=1A,IB=50mA 1.2 V fT VCE=2V,IC=0.5A 120 MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz 30 pF Transition frequency Cob Collector output capacitance CLASSIFICATION OF hFE(1) RANK O Y RANGE 70–140 120–240 MARKING MO MY www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 2SC2873 

Microsoft Word - 2SC2873 SOT-89-3L_A_.doc

Дата модификации: 18.05.2020

Размер: 642.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.