BSS123
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS
BSS123
N Channel MOSFET
V(BR)DSS
SOT-23
ID
RDS(on)MAX
3
6Ω@10V
100 V
0.17A
10Ω@4.5V
1. GATE
2. SOURCE
1
2
3. DRAIN
APPLICATION
FEATURE
Surface Mount Package
High Density Cell Design for Extremely Low RDS(ON)
Voltage Controlled Small Signal Switch
Rugged and Reliable
Small Servo Motor...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Истор. имя: BSS123 (ONS-FAIR)
- Корпус: SOT-23-3
- Норма упаковки: 100 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-23-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 7
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | BSS123 (YJ) BSS123 (ONS-FAIR) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | BSS123 (ANBON) BSS123 (ONS-FAIR) | SOT-23-3 | 300 шт |  |  |  | — |  | — |  | — |  | — |  | — | ||
| A+ | BSS123 SOT-23 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | WM10N02G (WAYON) | SOT-323-3 | 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | |
| A+ | BSS123W (YJ) BSS123W (ONS-FAIR) | SOT-323-3 | в линейках 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | WM10N02M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | LBSS123LT1G (LRC) | — | 1 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — |  | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на BSS123
Microsoft Word - BSS123 SOT-23 A-1
Дата модификации: 01.02.2021
Размер: 598.5 Кб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.