BSS123

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS BSS123 N Channel MOSFET V(BR)DSS SOT-23 ID RDS(on)MAX 3 6Ω@10V 100 V 0.17A 10Ω@4.5V 1. GATE 2. SOURCE 1 2 3. DRAIN APPLICATION FEATURE     Surface Mount Package High Density Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Voltage Controlled Small Signal Switch Rugged and Reliable  Small Servo Motor...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJ2102A

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= BSS123 (YJ)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BSS123 (HOTTECH)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE0102B (NCE)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WM10N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- NCE0102 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
A+ WM10N02G (WAYON)
 
SOT-323-3 3000 шт — — — — — —
A+ BSS123W RFG (TSC)
 
SOT-323-3 3000 шт — —
A+ TQM123KCX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — —
A+ BSS123 SOT-23 (JSCJ)
 
—
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS BSS123 N Channel MOSFET V(BR)DSS SOT-23 ID RDS(on)MAX 3 6Ω@10V 100 V 0.17A 10Ω@4.5V 1. GATE 2. SOURCE 1 2 3. DRAIN APPLICATION FEATURE     Surface Mount Package High Density Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Voltage Controlled Small Signal Switch Rugged and Reliable  Small Servo Motor Controls  Power MOSFET Gate Drivers  Switching Application MARKING Equivalent Circuit B123= Device code B123 Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. Front side ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage Parameter N-MOSFET VGS ±20 V Continuous Drain Current (note 1) ID 0.17 A Pulsed Drain Current (tp=10us) IDM 0.68 A Continous Source-Drain Diode Current IS 0.17 A Power Dissipation PD 0.35 W Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 1) RθJA 357 ℃/W Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55~+150 ℃ TL 260 ℃ Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10 s) www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на BSS123 

Microsoft Word - BSS123 SOT-23 A-1

Дата модификации: 01.02.2021

Размер: 598.5 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    26 июня 2024
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для солнечной энергетики

    Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)