CJAB65N04

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3×3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB65N04  N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP 4.8Pȍ#9  9 ID PDFNWB3.3×3.3-8L 6$ 6.2Pȍ#9 DESCRIPTION 7KH &-$%61 XVHV DGYDQFHG WUHQFK WHFKQRORJ\ DQG GHVLJQ WRSURYLGHH[FHOOHQW5'6 21 ZLWKORZJDWHFKDUJH,WFDQEHXVHGLQD ZLGHYDULHW\RIDSSOLFDWLRQV FEAT...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMSH0403AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ CJU110SN04 (JSCJ)
 
TO2522L
 
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
A+ CJAC90N04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
 
A+ CJAC110SN04 (JSCJ)
 
 
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на CJAB65N04 

Дата модификации: 25.01.2021

Размер: 1.04 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.