CRTM055N03LE
CRTM055N03LE
Trench N-MOSFET 30V, 4mΩ, 54A
华润微电子(重庆)有限公司
Features
Product Summary
• Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology
VDS
30V
• Extremely low on-resistance RDS(on)
RDS(on) typ.
4mΩ
• Excellent QgxRDS(on) product(FOM)
ID
54A
• Qualified according to JEDEC criteria
100% DVDS Tested
Applications
100% Avalanche Tested
• Motor control and drive
ESD Protected
• ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | NCEP3065QU (NCE) | DFN83X3 | 125 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
P- | JMSL0302BU (JIEJIE) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | CJAC150N03A (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJAC110N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB75N03U (JSCJ) | — | в ленте 5000 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAB65N04 (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAB60N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMQ80N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJD80N03B (YJ) | TO252 |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | ||||||||||||
A+ | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | IRLR7843 (EVVO) IRLR7843 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | BSC034N03LSG (EVVO) | — | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | NCE3095K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB108N03T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO96N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | CJAC110N03A (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CRTM055N03LE
CRTM055N03LE Keywords:
Дата модификации: 13.01.2020
Размер: 582.8 Кб
10 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.