CRTM055N03LE

CRTM055N03LE Trench N-MOSFET 30V, 4mΩ, 54A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology VDS 30V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 4mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 54A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive ESD Protected • ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCEP3065QU (NCE)
 
DFN83X3 125 шт
 
±
P- JMSL0302BU (JIEJIE)
 
 
P- CJAC150N03A (JSCJ)
 
 
±
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
A+ CJAC110N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAB75N03U (JSCJ)
 
в ленте 5000 шт
 
±
A+ CJAB65N04 (JSCJ)
 
±
A+ CJAB60N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ WMQ80N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
A+ YJD80N03B (YJ)
 
TO252 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ YJD80N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ IRLR7843 (EVVO)
 

IRLR7843 (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ BSC034N03LSG (EVVO)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ NCE3095K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ WMB108N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO96N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJG105N03A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CJAC110N03A (JSCJ)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.