WMB017N03LG2

WAYON
WMB017N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB017N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D D D D D s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. DD G ss G PDFN5060-8L Features  D...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ AUIRFB8409 (INFIN)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
 Automotive N-ch MOSFET 40V, 409A, TO-220 —
A+ CSD17303Q5 (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ SUM90N03-2m2P-E3 (VISHAY)
 
TO263 MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB —
A+ STB270N4F3 (ST)
 
TO263 1000 шт MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB —
A+ STL150N3LLH5 (ST)
 
POWERFLAT 3000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STL140N4LLF5 (ST)
 
POWERFLAT 3000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STP400N4F6 (ST)
 
TO220AB 50 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STI300N4F6 (ST)
 
TO-262-3 50 шт
 
 — Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA —
A+ STP360N4F6 (ST)
 
TO220AB 50 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STI270N4F3 (ST)
 
TO-262-3 в линейках 50 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA —
A+ STH400N4F6-2 (ST)
 
H2PAK2 1000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STH360N4F6-2 (ST)
 
H2PAK2 1000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STH320N4F6-6 (ST)
 
H2PAK6 1000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STH320N4F6-2 (ST)
 
H2PAK2 1000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ IRFB7437PBF (INFIN)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N CH 40V 195A TO220 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package —
A+ CJAC150N03A (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMB017N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB017N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D D D D D s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. DD G ss G PDFN5060-8L Features  D VDS = 30V, ID = 100A RDS(on) < 1.7mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 2.5mΩ @ VGS = 4.5V  Low RDS(on)  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed  RoHS and Halogen-Free Compliant RoHS D compliant G Applications S  Power Management in Switches  DC/DC Converter Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source voltage VDS 30 V Gate-Source voltage VGS ±20 V TC=25°C 100 ID Continuous Drain Current TC=100°C A 63.3 Pulsed Drain Current1 IDM 400 A EAS 45 mJ PD 30.5 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 53 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 4.1 °C/W Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.2.0, 2021 Doc:W0803313 1/7 s PDF
Документация на WMB017N03LG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 20.12.2022

Размер: 1008.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    YJJD05N03A (YJ)