WMB017N03LG2

WMB017N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB017N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D D D D D s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. DD G ss G PDFN5060-8L Features  D...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ AUIRFB8409 (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт
 
Automotive N-ch MOSFET 40V, 409A, TO-220
A+ CSD17303Q5 (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
30V N Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ SUM90N03-2m2P-E3 (VISHAY) TO263 MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STB270N4F3 (ST) TO263 1000 шт MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STL150N3LLH5 (ST) POWERFLAT 3000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STL140N4LLF5 (ST) POWERFLAT 3000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STP400N4F6 (ST) TO220AB 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STI300N4F6 (ST) TO-262-3 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
A+ STP360N4F6 (ST) TO220AB 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STI270N4F3 (ST) TO-262-3 в линейках 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
A+ STH400N4F6-2 (ST) H2PAK2 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STH360N4F6-2 (ST) H2PAK2 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STH320N4F6-6 (ST) H2PAK6 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STH320N4F6-2 (ST) H2PAK2 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ IRFB7437PBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N CH 40V 195A TO220 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package
A+ CJAC150N03A (JSCJ)
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.