YJG105N03A
RoHS
YJG105N03A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS= 10V)
● RDS(ON)( at VGS= 4.5V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
30V
105A
<3.0mohm
<4.0mohm
General Description
● Trench Power MV MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
Applications
● DC-DC Converters
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN568
- Норма упаковки: 5000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PDFN568 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание: Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | JMSL0302AU-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | YJD180N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | JMTE3003A (JIEJIE) | TO263 | 800 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMTE3002B (JIEJIE) | TO263 | 800 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMTE025N04D (JIEJIE) | TO263 | 800 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0403AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0402BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0303AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0302AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | JMSH0403BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMGG020V04A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAC130SN04L (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC110N03A (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC150N03A (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG200G04AR (YJ) | — | 1 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG150N03A (YJ) | — | 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG130G04A (YJ) | — | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | JMTG3002B (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — |
Файлы 2
показать свернуть
Документация на YJG105N03AF1
Microsoft Word - YJG105N03A Rev3.2
Дата модификации: 09.11.2020
Размер: 1.27 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.