YJG105N03A

RoHS YJG105N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 30V 105A <3.0mohm <4.0mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN568
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 31

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMB108N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
P- CJAC150N03A (JSCJ)
 
 
±
P- WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
P- CJAC110N03A (JSCJ)
 
 
±
P- NCE30H11BG (NCE)
 
 
±
P- NCEP30T17GU (NCE)
 
 
±
P- HGQ011N03A-G (CRMICRO)
 
PDFN568
 
P- JMSL0303AG (JIEJIE)
 
 
P- BSC034N03LSG (EVVO)
 
в ленте 3000 шт
 
P- NCEP30T15GU (NCE)
 
 
A+ CJP180N03 (JSCJ)
 
TO2203L
 
±
A+ CJAC150N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ TQM019NH04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
A+ TQM019NH04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TQM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ WMB31430DN (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
 
A+ CJAC110SN04 (JSCJ)
 
 
A+ TQM019NH04CR-V RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ CJAC110N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJP140N04 (JSCJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
1 шт
 
A+ YJD180N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ YJG150N03A (YJ)
 
в ленте 5000 шт
 
A+ TQM025NH04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 

Файлы 2

показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.