YJG105N03A
RoHS
YJG105N03A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS= 10V)
● RDS(ON)( at VGS= 4.5V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
30V
105A
<3.0mohm
<4.0mohm
General Description
● Trench Power MV MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
Applications
● DC-DC Converters
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN568
- Норма упаковки: 5000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PDFN568 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание: Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 31
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | WMB108N03T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | CJAC150N03A (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
P- | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
P- | CJAC110N03A (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
P- | NCE30H11BG (NCE) | — | ± | — | — | — | — | ||||||||||
P- | NCEP30T17GU (NCE) | — | ± | — | — | — | |||||||||||
P- | HGQ011N03A-G (CRMICRO) | PDFN568 | — | — | — | ||||||||||||
P- | JMSL0303AG (JIEJIE) | — | — | — | — | — | |||||||||||
P- | BSC034N03LSG (EVVO) | — | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
P- | NCEP30T15GU (NCE) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
A+ | CJP180N03 (JSCJ) | TO2203L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC150N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC200SN04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJP180G04C (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | TQM019NH04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |
| — | ||||||||||||
A+ | TQM019NH04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TQM025NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJAC130SN04L (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC140SN04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB31430DN (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC130SN04 (JSCJ) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAC110SN04 (JSCJ) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | TQM019NH04CR-V RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | |||||||||||||
A+ | CJAC110N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJP140N04 (JSCJ) | TO-220-3 | 1000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJG200G04AR (YJ) | — | 1 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJD180N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | YJG130G04A (YJ) | — | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJG150N03A (YJ) | — | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TQM025NH04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — |
Файлы 2
показать свернуть
Документация на YJG105N03AF1
Microsoft Word - YJG105N03A Rev3.2
Дата модификации: 09.11.2020
Размер: 1.27 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.