CJCD2005

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2×3-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJCD2005 DFNWB2×3-6L Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP 9 mΩ@ 4.5V 9.5mΩ@ 4.0V 20V 8A 9.7 mΩ@3.8V 10.6 mΩ@3.1V 12.5 mΩ@2.5V DESCRIPTION The CJCD2005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJCD2004 (JSCJ)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
05 мая 2023
новость

Сборки MOSFET-транзисторов JSCJ для схемы защиты литий-ионных аккумуляторов

Развитие рынка литиевых источников питания требует реакции и от рынка полупроводниковых компонентов, предназначенных для модулей зарядки, контроля и защиты аккумуляторов. На рисунке 1 показана типовая схема защиты от перенапряжения, перегрузки,... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.