CJD02N65

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251S Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD02N65 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 650 3.8Ω@10V 2A TO-251S GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. 1. G...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO251
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BL4N90-P (CN BELL)
 
 
N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220, 900 V, 4 A, 2,6 Ohm Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply
A+ CJU04N65 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ CJPF04N65 (JSCJ)
 
TO220F
 
±
A+ WML07N70C2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ WML04N65C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMP07N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMP04N70C2 (WAYON)
 
TO251 1 шт
 
A+ WMP04N65C2 (WAYON)
 
TO251
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на CJD02N65 

Microsoft Word - CJD02N65 TO-251-3L A.doc

Дата модификации: 03.11.2020

Размер: 1.09 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.