CJU65P06
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJU65P06
P-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
RDS(on)TYP
ID
-60V
13mΩ@-10V
-65A
TO-252-2L
GENERAL DESCRIPTION
The CJU65P06 uses advanced trench technology and design to provide excellent
RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
FEATURE
Advanced trench process t...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2522L
- Норма упаковки: 10 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO2522L | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | WMM80P06TS (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  | — |  | — |  | — | — | — | ||
| P- | NCE60P82AD (NCE) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| F~ | WMO95P06TS (WAYON) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJU65P06
Microsoft Word - CJU18P10 TO-252-2L A-1
Дата модификации: 11.06.2020
Размер: 1.74 Мб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.