WMM80P06TS
WMM80P06TS
60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMM80P06TS uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
D
maintain superior switching performance.
G
S
Features
TO-263
VDS= -60V, ID = -80A
RDS(on) < 22mΩ @ VGS = -10V
RDS(on) < 25mΩ @ VGS = -4.5V
High Speed Power Smooth Switching, Logic Leve...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO263
- Норма упаковки: 800 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO263 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | WMO95P06TS (WAYON) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | NCE60P82AD (NCE) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | IRF4905S (EVVO) IRF4905S (INFIN) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  | — |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| F~ | CJU65P06 (JSCJ) | TO2522L | 10 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMM80P06TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 21.06.2022
Размер: 1.12 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.