FMMT491

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 FMMT491 TRANSISTOR (NPN) FEATURES 1. BASE Low equivalent on-resistance 2. EMITTER Marking :491 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SD1899 (JSCJ)
 
— 1 шт
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ 2SD1616A (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ 2SD1616A 200-400 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ 2SD1616A TO-92 (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ FMMT491 100-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ FMMT491 SOT-23 100-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ FMMT493 (JSCJ)
 

FMMT493 (DIODES) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1899 M100-200 (JSCJ)
 
TO-252-2L
 
 — — — —
A+ FMMT493 SOT-23 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ BSR43 SOT-89-3L (JSCJ)
 
— 25 шт
 
 — — — —
A+ MMBT1616A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 20 шт
 
 — — — —
A+ MMBT1616A SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ LBTN560Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ LBTN660Z4TZHG (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ 2SD1616AG-G-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —
A+ 2SD1616AG-G-T92-B (UTC)
 
— — — — —
A+ 2SD1616AG-L-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —
A+ 2SD1816L-R-TN3-R (UTC)
 
— — — —
A+ 2SD1816L-S-TM3-T (UTC)
 
TO-251-3
 
 — — — —
A+ 2SD1816L-S-TN3-R (UTC)
 
— — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 FMMT491 TRANSISTOR (NPN) FEATURES 1. BASE Low equivalent on-resistance 2. EMITTER Marking :491 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V Collector Current 1 A ICM Peak Pulse Current 2 A PC Collector Power Dissipation 250 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 500 ℃/W -55～+150 ℃ IC RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Test conditions Min Typ Max Unit IC=100μA,IE=0 80 V IC=10mA,IB=0 60 V V(BR)EBO IE=100μA,IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=60V,IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V,IC=0 0.1 μA hFE(1) VCE=5V,IC=1mA 100 hFE(2) 1 VCE=5V,IC=500mA 100 hFE(3) 1 VCE=5V,IC=1A 80 hFE(4) 1 VCE=5V,IC=2A 30 Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Emitter-base breakdown voltage DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 1 300 VCE(sat)1 1 IC=500mA,IB=50mA 0.25 V VCE(sat)2 1 IC=1A,IB=100mA 0.5 V VBE(sat) 1 IC=1A,IB=100mA 1.1 V 1 V Base-emitter voltage VBE1 Transition frequency fT Collector output capacitance 1 Symbol Cob VCE=5V,IC=1A VCE=10V,IC=50mA,,f=100MHz VCB=10V,f=1MHz 150 MHz 10 pF Measured under pulsed conditions, Pulse width=300μs, Duty cycle≤2%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на FMMT491 

Microsoft Word - FMMT491_SOT-23_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 767.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)