Вход / Регистрация

KTC3875

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors KTC3875 SOT-23 TRANSISTOR (NPN) FEATURES · High hFE · Low noise · Complementary to KTA1504 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Vo...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ 2SC2712 200-400 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SC2712 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2SC2712 (YOUTAI)
 
—
 
 — — — —
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ 2SC5343 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2SC2712Y (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2SC1815L-GR-T92-B (UTC)
 
TO-92-3 — — — —
A+ 2SC2712G-G-AE3-R (UTC)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SC2712G-Y-AE3-R (UTC)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SC4672G-B-AB3-R (UTC)
 
— — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors KTC3875 SOT-23 TRANSISTOR (NPN) FEATURES · High hFE · Low noise · Complementary to KTA1504 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 150 mA PC Collector Power Dissipation 150 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 833 ℃/W -55～+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100μA,IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= 1mA, IB=0 50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= 100μA, IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB= 60V, IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= 5V, IC=0 0.1 μA hFE DC current gain VCE= 6V, IC= 2mA Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=100mA, IB= 10mA base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=100mA, IB= 10mA fT Transition frequency 70 700 0.1 VCE=10V, IC= 1mA 0.25 V 1 V 80 MHz Collector output capacitance Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHZ 2.0 3.5 pF Noise figure NF VCE=6V,IC=0.1mA,Rg=10kΩ,f=1KHZ 1.0 10 dB CLASSIFICATION OF hFE Rank Range Marking www.jscj-elec.com O Y GR BL 70-140 120-240 200-400 350-700 ALO ALY ALG ALL 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на KTC3875 

Microsoft Word - KTC3875_SOT-23_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 727.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)