IRF530NPBF
IRF530NPBF
Description：
This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.
It can be used in a wide variety of applications.
Features：
GD
S
JS
1) VDS=-100V,ID=-20A,RDS(ON)<90mΩ@VGS=-10V
2) Low gate charge.
MI
3) Green device available.
CR
4) Advanced high cell denity trench technology for ultra Iow RDS(ON).
5) Excell...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Истор. имя: IRF530NPBF (INFIN)
- Корпус: TO-220-3
- Норма упаковки: 50 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO-220-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | YJP45G10B (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | WMK25N10T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | NCE0117 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | JMTC320N10A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на IRF530NPBF
Description Keywords:
Дата модификации: 16.12.2022
Размер: 1.08 Мб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.