IRF530NPBF

JSMicro
IRF530NPBF Description： This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： GD S JS 1) VDS=-100V,ID=-20A,RDS(ON)<90mΩ@VGS=-10V 2) Low gate charge. MI 3) Green device available. CR 4) Advanced high cell denity trench technology for ultra Iow RDS(ON). 5) Excell...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJP45G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — —
P- WMK25N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- WMK175N10HG4 (WAYON)
 
— в линейках 50 шт
 
 — — — — —
P- NCE0117 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P- JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRF530NPBF Description： This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： GD S JS 1) VDS=-100V,ID=-20A,RDS(ON)<90mΩ@VGS=-10V 2) Low gate charge. MI 3) Green device available. CR 4) Advanced high cell denity trench technology for ultra Iow RDS(ON). 5) Excellent package for good heat dissipation. O Se Absolute Maximum Ratings：(TC=25℃ Parameter VGS Gate-Source Voltage Continuous Drain Current-TC=25℃ Continuous Drain Current-TC=100℃ IDM Pulsed Drain Current1 PD Total Power Dissipation EAS Single Pulsed Avalanche Energy TJ, TSTG Units -100 V ±20 V -20 A Operating and Storage Junction Temperature Range www.jsmsemi.com r to uc ID Ratings nd Drain-Source Voltage co VDS mi Symbol unless otherwise noted) -14 A -85 A 58 W 177 mJ -55 to +150 ℃ PDF
Документация на IRF530NPBF 

Description Keywords:

Дата модификации: 16.12.2022

Размер: 1.08 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)