YJP45G10B

SUNCO
RoHS YJP45G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 45A ＜17 mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free App...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 40

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJP70SN10 (JSCJ)
 
TO2203L
 
 ± — — — — —
P= WMK099N10LG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — — —
P= NCE0130A (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — — —
P= YJP70G10A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
 — —
P= NCE0157 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — — —
P- WMK175N10LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — — —
P- WMK175N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- WMK25N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- WMK175N10HG4 (WAYON)
 
— в линейках 50 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE0117 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P- NCE0157A2 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P- WMK175N10LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CS540A8 (CRMICRO)
 
TO220AB 1000 шт
 
 — — —
P- CRTT260N10N (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
 — — —
P- IRF530NPBF (JSMICRO)
 

IRF530NPBF (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
P- IRF520NPBF (JSMICRO)
 

IRF520NPBF (INFIN) 		— в линейках 50 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRL540N (YOUTAI)
 

IRL540N (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- IRF540ZPBF-VB (VBSEMI)
 
TO220AB
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF540Z (EVVO)
 

IRF540Z (INFIN) 		TO-220-3 1000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
P- IRF540N (YOUTAI)
 

IRF540N (IR) 		TO220AB в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- IRL530N (EVVO)
 

IRL530N (INFIN) 		TO-220-3 1000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTC170N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ IRFB4410Z (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт — —
A+ YJD45G10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
A+ YJD65G10B (YJ)
 
TO252 — —
A+ YJD45G10B (YJ)
 
TO252 20 шт — —
A+ CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт — — —
A+ WMQ119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ IRF3710Z (EVVO)
 

IRF3710Z (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт — — — — —
A+ IRLR3110ZTR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ YJN60G10B (YJ)
 
TO-247-3 в линейках 20 шт — —
A+ WMB175N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — —
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ YJG60G10A (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJP45G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 45A ＜17 mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 45 TC=25℃ Drain Current ID A TC=100℃ 28.5 Pulsed Drain Current A IDM 220 A Avalanche energy B EAS 77 mJ Tc=25℃ 100 Total Power Dissipation C PD W 40 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 12 15 50 60 1.0 1.25 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJP45G10B B1 YJP45G10B 50 / 5000 Tube 1/6 S-E414 Rev.3.1,13-Jun-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJP45G10B 

Дата модификации: 13.06.2022

Размер: 810 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCO

    Новые серии MOSFET производства SUNCO – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)