NCE0117

NCE0117 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =100V,ID =17A RDS(ON) < 70mΩ @ VGS=10V (Typ:56mΩ) Schematic diagram RDS(ON) < 85mΩ @ VGS=4.5V (Typ:65mΩ) ● High densi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMK16N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ CS540A8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
A+ JMTK320N10A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ NCE0130KA (NCE)
 
TO252 2500 шт
 
±
A+ NCE0130A (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCE0125AK (NCE)
 
TO252
 
±
A+ NCE0125AI (NCE)
 
TO251
 
±
A+ NCE0117K (NCE)
 
TO252
 
±
A+ NCE0117I (NCE)
 
TO251
 
±
A+ WMQ175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMSL1018AUQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ JMSL1040AU-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ CJU30N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ YJD25N10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ NCE0130GA (NCE)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 
±
A+ JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ LN76042NDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCE0117 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =100V,ID =17A RDS(ON) < 70mΩ @ VGS=10V (Typ:56mΩ) Schematic diagram RDS(ON) < 85mΩ @ VGS=4.5V (Typ:65mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits Marking and pin assignment ● Uninterruptible power supply 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! TO-220-3L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE0117 NCE0117 TO-220-3L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 17 A ID (100℃) 12 A IDM 60 A PD 55 W EAS 250 mJ Drain Source voltage slope, VDS ≤80 V, dv/dt 50 V/ns Drain Source voltage slope, VDS ≤80V, ISD<ID dv/dt 50 V/ns TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipation Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v1.1 PDF
Документация на NCE0117 

Microsoft Word - NCE0117 data sheet.doc

Дата модификации: 14.06.2019

Размер: 383.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.