Вход / Регистрация

NCE40P07S

NCE
NCE40P07S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40P07S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-40V,ID =-6.2A Schematic diagram RDS(ON) <25mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) <30mΩ @ VGS=-4.5V ● High density cell design for...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ13P04 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 10 шт ± — — — — —
P- WMS06P04T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CRMM0405C (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- JMTP440P04A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7241 (EVVO)
 

IRF7241 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE40P07S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40P07S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-40V,ID =-6.2A Schematic diagram RDS(ON) <25mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) <30mΩ @ VGS=-4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Excellent package for good heat dissipation Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● DC-DC converter Marking and pin assignment SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE40P07S NCE40P07S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID -6.2 A ID (100℃) -4 A Pulsed Drain Current IDM 40 A Maximum Power Dissipation PD 2.5 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 50 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance ,Junction-to-Ambient(Note 2) Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit -40 - - V Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd BVDSS Page 1 VGS=0V ID=-250μA v1.0 PDF
Документация на NCE40P07S 

Microsoft Word - NCE40P07S data sheet.doc

Дата модификации: 02.06.2020

Размер: 360.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)