CJQ13P04

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ13P04 P-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP V(BR)DSS 11mΩ@-10V -40 V 14.5mΩ@-4.5V SOP8 ID -13A DESCRIPTION The CJQ13P04 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications APPLIC...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAB06P06

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMS11P04T1 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
P- NCE40P13S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 1 шт ± — — — —
P- WMS13P04T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- JMTP130P04A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7240TR (YOUTAI)
 

IRF7240TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ13P04 P-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP V(BR)DSS 11mΩ@-10V -40 V 14.5mΩ@-4.5V SOP8 ID -13A DESCRIPTION The CJQ13P04 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications APPLICATIONS z Battery protection applications z Load switch MARKING Equivalent Circuit Q13P04 = Device code Q13P04 XX 8 D 7 D 6 D 5 D Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device XX = Code 1 2 S S 3 S 4 G MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID ① -13 A Pulsed Drain Current IDM ② -52 A Single Pulsed Avalanche Energy EAS ③ 230 mJ PD ⑥ 4.0 W 31.25 ℃/W -55~+150 ℃ Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA TJ ,Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com ⑥ 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на CJQ13P04 

Microsoft Word - CJQ13P04_SOP8_V2.0

Дата модификации: 27.05.2021

Размер: 7.49 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)