Вход / Регистрация

WMS06P04T1

WAYON
WMS06P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D WMS06P04T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D D maintain superior switching performance. S Features  S S VDS= -40V, ID = -6A G SOP-8L RDS(on) < 45mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 58mΩ @ VGS = -4.5V  Green Device Available  Lo...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM03DH60A
Внешний вид WM03DH60A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ13P04 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 10 шт ± — — — — —
P- NCE40P07S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 2150 шт ± — — — —
P- CRMM0405C (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- JMTP440P04A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7241 (EVVO)
 

IRF7241 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS06P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D WMS06P04T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D D maintain superior switching performance. S Features  S S VDS= -40V, ID = -6A G SOP-8L RDS(on) < 45mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 58mΩ @ VGS = -4.5V  Green Device Available  Low Gate Charge  Advanced High Cell Density Trench Technology  100% EAS Guaranteed RoHS D compliant Applications G  Power Management Switches  DC/DC Converter S Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TA=25°C -6 ID Continuous Drain Current TA=100°C Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range A -3.8 IDM -24 A EAS 18 mJ PD 3 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 41.7 °C/W Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 Rev.1.0, 2022 Doc:W0803649 1/7 PDF
Документация на WMS06P04T1 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 27.04.2022

Размер: 783.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)