NCE4953

NCE
Pb Free Product NCE4953 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D2 The NCE4953 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G2 G1 voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S1 S2 Schematic diagram General Features ● VDS = -30V,ID...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4953 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
P- YJS4953A (YJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 — —
P- JMTP4953B (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — — —
P- JMTP4953A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —
P- IRF7316TR (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJS9435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P- WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- IRF7304TR (YOUTAI)
 

IRF7304TR (INFIN) 		— 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCE4953 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D2 The NCE4953 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G2 G1 voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S1 S2 Schematic diagram General Features ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON) < 90mΩ @ VGS=-4.5V RDS(ON) < 55mΩ @ VGS=-10V ● High Power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface Mount Package Marking and pin assignment Application ● PWM applications ● Load switch ● Power management SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 4953 NCE4953 SOP-8 Ø330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID -5.1 A (Note 1) IDM -20 A Maximum Power Dissipation PD 2.5 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 50 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Pulsed Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=-250μA -30 -33 - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-24V,VGS=0V - - -1 μA Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd Page 1 Off Characteristics v1.0 PDF
Документация на NCE4953 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Дата модификации: 15.11.2023

Размер: 371.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)