JMTP4953B

JIEJIE
JMTP4953B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS = -20V, ID = -4A RDS(ON) < 65mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) < 90mΩ @ VGS = -2.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOP-8 top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4953 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
P- YJS4953A (YJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 — —
P- NCE4801 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- NCE4953 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- IRF7304TR (YOUTAI)
 

IRF7304TR (INFIN) 		— 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTP4953B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS = -20V, ID = -4A RDS(ON) < 65mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) < 90mΩ @ VGS = -2.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOP-8 top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) 4953B JMTP4953B TAPING SOP-8 13inch 4000 48000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage -20 V VGSS Gate-Source Voltage ±12 V ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 PD Power Dissipation RθJA TJ, TSTG TA = 25℃ -4 TA = 100℃ -2.6 A -16 A TA = 25℃ 1.7 W Thermal Resistance, Junction to Ambient 74 ℃/W -55 to +150 ℃ Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.0 -1- PDF
Документация на JMTP4953B 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 28.02.2022

Размер: 414.3 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)