CJQ4953

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD    ! "#  CJQ4953 P-Channel Power MOSFET 41mΩ@-10V -30 V SOP8 ID RDS(on)TYP V(BR)DSS -5A 57mΩ@-4.5V #  z Surface Mount Package z Super High Density Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Equivalent Circuit MARKING: Q4953= Device code D1 D1 8 7 6 5 1 2 3 4 S1 G1 S2 D2 D2 YY= Code Solid ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJQ4953

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- JMTP4953A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —
P- IRF7316TR (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7304TR (YOUTAI)
 

IRF7304TR (INFIN) 		— 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJS9435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- NCE4953 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P- WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- YJS4953A (YJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 — —
P- JMTP4953B (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD    ! "#  CJQ4953 P-Channel Power MOSFET 41mΩ@-10V -30 V SOP8 ID RDS(on)TYP V(BR)DSS -5A 57mΩ@-4.5V #  z Surface Mount Package z Super High Density Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Equivalent Circuit MARKING: Q4953= Device code D1 D1 8 7 6 5 1 2 3 4 S1 G1 S2 D2 D2 YY= Code Solid dot = Pin1 indicator Solid dot=Green molding compound device,  if none,the normal device. G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V -5 A ① Continuous Drain Current ID Pulsed Drain Current IDM -20 A 20 mJ 2.0 W RθJA ⑥ 62.5 ℃/W TJ ,Tstg -55~+150 ℃ ② Single Pulsed Avalanche Energy EAS ③ Maximum Power Dissipation PD ⑥ Thermal Resistance from Junction to Ambient Operating Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJQ4953 

Microsoft Word - CJQ4407 SOP8 A-1.doc

Дата модификации: 10.08.2021

Размер: 1.01 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 февраля 2024
    новость

    Транзисторы и MOSFET-сборки JSCJ поступили на склад КОМПЭЛ

    Китайская компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) с 2018 года специализируется на исследованиях, разработках, выпуске и продаже полупроводников. Этот производитель поставляет на рынок качественные и надежные пластины и готовые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)