NCE55P30

Pb Free Product NCE55P30 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE55P30 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-55V,ID =-30A RDS(ON) <40mΩ @ VGS=-10V Schematic diagram ● High density cell design for ultra low Rdson ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJP50P06 (JSCJ)
 
TO2203L
 
±
P= NCE60P25 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
P= YJP30GP10A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 5000 шт
 
P= NCE01P13 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
P- JMPL0648AK (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- IRFR5305 (JSMICRO)
 

IRFR5305 (INFIN)
в ленте 2500 шт
 
P- YJD50GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO25P06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- CJU55P30 (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE55P30 

Microsoft Word - NCE5530.doc

Дата модификации: 24.02.2016

Размер: 284.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.