Вход / Регистрация

CJP50P06

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP50P06 P-Channel Power MOSFET TO-220-3L-C V(BR)DSS RDS(on)TYP ID -60V 19mΩ@-10V -50A DESCRIPTION The CJP50P06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES   MARKING P50P06 XXXX 1 2 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJD4435

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2203L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= NCE60P25 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P= YJP30GP10A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 5000 шт
 
 — —
P= NCE55P30 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — — —
P= NCE01P13 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP50P06 P-Channel Power MOSFET TO-220-3L-C V(BR)DSS RDS(on)TYP ID -60V 19mΩ@-10V -50A DESCRIPTION The CJP50P06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES   MARKING P50P06 XXXX 1 2 1 2 3 APPLICATIONS Low RDS(on) Low Gate Charge   1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE High efficiency power supply Secondary synchronus rectifier EQUIVALENT CIRCUIT P50P06 = Device code Solid dot = Green molding compound device if none, the normal device XXXX = Code 3 MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ① ID -50 A Pulsed Drain Current ② IDM -200 A Single Pulsed Avalanche Energy EAS③ 420 mJ ① 100 W Continuous Drain Current Power Dissipation PD Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA 62.5 ℃/W Thermal Resistance from Junction to Case RθJC① 1.25 ℃/W Operation Junction and Storage Temperature Range TJ ,Tstg -55 ~+150 ℃ www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJP50P06 

Дата модификации: 07.06.2020

Размер: 5.52 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 февраля 2024
    новость

    Транзисторы и MOSFET-сборки JSCJ поступили на склад КОМПЭЛ

    Китайская компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) с 2018 года специализируется на исследованиях, разработках, выпуске и продаже полупроводников. Этот производитель поставляет на рынок качественные и надежные пластины и готовые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)