NCEP0112AS

NCEP0112AS http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP0112AS uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and syn...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 300 шт
 
A+ LN7610DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ LNB8610HDT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8610DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
A+ LNB86085DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNA7610HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LNA7608HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7706DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7609DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76082DT1WG (LRC)
 
 
±
A+ LN76098DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76076HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76076DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76072DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7604DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76042NDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN4292T1G (LRC)
 
SOP-8
 
±
A+ CRSE120N10L2 (CRMICRO)
 
SOP-8
 
A+ LNB8614DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP0112AS http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP0112AS uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. General Features Schematic diagram ● VDS =100V,ID =12A RDS(ON)=9.9mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=11.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Marking and pin assignment Application ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% UIS TESTED! SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP0112AS NCEP0112AS SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 12 A ID (100℃) 8 A Pulsed Drain Current IDM 48 A Maximum Power Dissipation PD 3.5 W 0.028 W/℃ EAS 152 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP0112AS 

Microsoft Word - NCEP0112AS data sheet.doc

Дата модификации: 21.01.2020

Размер: 431.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.