NCEP090N85AQU

NCEP090N85AQU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP090N85AQU uses Super Trench II technology that ● VDS =85V,ID =56A is uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=8.5mΩ (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=11.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V switching power losses ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB053NV8HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ CJAC110SN10H (JSCJ)
 
 
±
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ CJD80SN10S (JSCJ)
 
TO251
 
±
A+ CJAC80SN10H (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC80SN10 (JSCJ)
 
100 шт
 
±
A+ CJAC110SN10L (JSCJ)
 
 
±
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ CJU80SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ CJAC110SN10A (JSCJ)
 
в ленте 32 шт
 
±
A+ WMB099N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 
A+ WMB080N10HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB060N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML060N10HGS (WAYON)
 
TO220F
 
A+ NCEP065N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
A+ JMSH1008AE (JIEJIE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP090N85AQU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP090N85AQU uses Super Trench II technology that ● VDS =85V,ID =56A is uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=8.5mΩ (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=11.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due to an extremely low ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for ● Very low on-resistance RDS(on) high-frequency switching and synchronous rectification. ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating Application ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification DFN 3.3X3.3 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP090N85AQU NCEP090N85AQU DFN3.3X3.3-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 85 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 56 A ID (100℃) 40 A Pulsed Drain Current IDM 224 A Maximum Power Dissipation PD 60 W 0.48 W/℃ EAS 156 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 2.08 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP090N85AQU 

Microsoft Word - NCEP09N85AQU data sheet.doc

Дата модификации: 08.04.2020

Размер: 320.9 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.