CJAC110SN10L
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
PDFN:%5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJAC110SN10L
N-Channel Power MOSFET
RDS(on)TYP
V(BR)DSS
4.3mΩ@10V
100V
ID
PDFN:%5×6-8L
110A
6.0mΩ@4.5V
DESCRIPTION
The CJAC110SN10L uses shielded gate trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can
be used in a wide variety of applications
FEATURES
High...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 7
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | DI100N10PQ (DIOTEC) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
A+ | CJAC110SN10A (JSCJ) | — | в ленте 32 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMM043N10HGD (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK072N12HG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |
| — | — | — | — | — | — | |||||||
A+ | WMK043N10HGS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
A+ | WMB043N10HGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMM043N10HGS (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьПубликации 3
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.