NCEP11N10AQU

NCEP11N10AQU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP11N10AQU uses Super Trench II technology that is ● VDS =100V,ID =55A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=10.5mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=13.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V losses ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 27

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMQ119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
P- YJQ40G10A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт
A+ YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ CJAC80SN10H (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC80SN10 (JSCJ)
 
100 шт
 
±
A+ CJAC75SN10 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC65SN10 (JSCJ)
 
в ленте 5 шт
 
±
A+ CJU80SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ WMK080N10LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 1 шт
 
A+ WMB099N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 
A+ WMB060N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ YJP70G10A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ YJG90G10A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
A+ YJD65G10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ YJB70G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP080N10 (NCE)
 
TO-220-3 13 шт
 
±
A+ NCEP065N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ JMSH1008AE (JIEJIE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMB080N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 800 шт
 
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJB70G10A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A+ CJAC90SN12 (JSCJ)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP11N10AQU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP11N10AQU uses Super Trench II technology that is ● VDS =100V,ID =55A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=10.5mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=13.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V losses are minimized due to an extremely low combination of ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on) and synchronous rectification. ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating Application ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification DFN 3.3X3.3 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP11N10AQU NCEP11N10AQU DFN3.3X3.3-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 55 A ID (100℃) 39 A Pulsed Drain Current IDM 220 A Maximum Power Dissipation PD 70 W 0.56 W/℃ EAS 156 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 1.79 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP11N10AQU 

Microsoft Word - NCEP11N10AQ data sheet.doc

Дата модификации: 06.12.2019

Размер: 321.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.