YJQ40G10A

RoHS YJQ40G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested 100V 40A <18.5 mohm <22.5 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 9...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 29

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMQ175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
P- CJQ07N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
±
P- WMQ119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
P- NCEP0120Q (NCE)
 
DFN83X3
 
±
P- NCEP11N10AQU (NCE)
 
DFN83X3
 
±
P- BSZ440N10NS3GATMA1-VB (VBSEMI)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ YJD45G10AQ (YJ)
 
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт
A+ WMP119N10LG2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMO099N10LGS (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
A+ YJB70G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ YJD45G10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ YJP70G10A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ YJG40G10AQ (YJ)
 
PDFN5060-8L
 
A+ YJG40G10A (YJ)
 
в ленте 10 шт
 
A+ YJD65G10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ WML099N10HGS (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
A+ IRFB4410Z (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJB70G10A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A+ NCEP080N10 (NCE)
 
TO-220-3 13 шт
 
±
A+ IRF3710Z (EVVO)
 

IRF3710Z (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ IRLR3110ZTR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMB080N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ099N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJQ40G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested 100V 40A <18.5 mohm <22.5 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Consumer electronic power supply ● Motor control ● Synchronous-rectification ● Isolated DC/DC convertor ● Invertors ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 8 TA=25℃ 5 TA=100℃ Drain Current ID A 40 TC=25℃ 25.3 TC =100℃ Pulsed Drain Current Avalanche energy Unit A B IDM 160 A EAS 81 mJ 2 TA=25℃ 0.9 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W 43 TC=25℃ 17.2 TC =100℃ Junction and Storage Temperature Range ℃ -55~+150 TJ ,TSTG ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 20 25 45 55 2.4 2.9 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ40G10A F1 Q40G10A 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E412 Rev.3.4,14-Jun-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ40G10A 

Дата модификации: 17.06.2022

Размер: 842.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.