NCEP12T12

Pb Free Product NCEP12T12 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP12T12 uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency sw...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK071N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 500 шт
 
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ NCEP12T12D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP050N12D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP028N12LL (NCE)
 
180 шт
 
±
A+ WMM161N15T2 (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
A+ WMK161N15T2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ NCEP15T14LL (NCE)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCEP12T12 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP12T12 uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Schematic diagram General Features ● VDS =120V,ID =129A RDS(ON) <6.0mΩ @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature Marking and pin assignment ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% UIS TESTED! TO-220-3L top view 100% ΔVds TESTED! Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP12T12 NCEP12T12 TO-220-3L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 120 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 129 A ID (100℃) 92 A Pulsed Drain Current IDM 480 A Maximum Power Dissipation PD 185 W 1.3 W/℃ EAS 1000 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP12T12 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 15.03.2022

Размер: 905.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.