RUH120N90M

Shenzhen Ruichi Electronic Co., Ltd. (Ruichi)
RUH120N90M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description • 120V/90A, RDS (ON) =6.2mΩ(Typ.)@V GS=10V RDS (ON) =7mΩ(Typ.)@V GS=4.5V D D D D • Ultra Low On-Resistance • Fast Switching Speed • 100% avalanche tested TM • Uses Ruichips advanced RUISGT technology • Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S S G PIN1 PIN1 PDFN5060 D Applications • Synchronous Rectif...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN5060
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK161N15T2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ CRSQ073N15NZ (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 25 шт — — —
A+ JMSH1507AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ NCEP15T14T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 — — —
A+ CJAC90SN12 (JSCJ)
 
— в ленте 5000 шт
 
 ± — — — — —
A+ WML071N15HG2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
 — — —
A+ WMK071N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB072N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ WMM161N15T2 (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
 — — —
A+ WMM071N15HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RUH120N90M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description • 120V/90A, RDS (ON) =6.2mΩ(Typ.)@V GS=10V RDS (ON) =7mΩ(Typ.)@V GS=4.5V D D D D • Ultra Low On-Resistance • Fast Switching Speed • 100% avalanche tested TM • Uses Ruichips advanced RUISGT technology • Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S S G PIN1 PIN1 PDFN5060 D Applications • Synchronous Rectification for Flyback Converters • PD Adaptors • Charger for Mobile G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Rating Unit Common Ratings (TC=25°C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 120 VGSS Gate-Source Voltage ±20 Maximum Junction Temperature 150 °C -55 to 150 °C TC=25°C 50 A TC=25°C 360 A TC=25°C 90 TC=100°C 57 TA=25°C 14 TA=70°C 11 TC=25°C 74 TC=100°C 30 TA=25°C 2.2 TA=70°C 1.4 TJ TSTG IS Storage Temperature Range Diode Continuous Forward Current V Mounted on Large Heat Sink IDP ① 300μs Pulse Drain Current Tested Continuous Drain Current@TC(VGS=10V) ② ID ③ Continuous Drain Current@TA(VGS=10V) Maximum Power Dissipation@TC PD Maximum Power Dissipation@TA ③ Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd Rev. B– Aug., 2020 1 A W www.ruichips.com PDF
Документация на RUH120N90M 

RUH120N90M.xlsx

Дата модификации: 20.11.2020

Размер: 371.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)