BSS123

沁 . . . 皓科 BSS123 SHI KUES N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low lnpuVOutput Leakage High Drain-Source Voltage Rating ESD protected ( HBM > 2KV ) SOT-23 Dim A Mechanical Data Case: SOT-23, Molded Plastic Case material - UL Flammability Rating 94V-O Moisture sensitivity: Level 1 per J-...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BSS123 (YJ)
 

BSS123 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ LBSS123LT1G (LRC)
 
1 шт
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ BSS123W (SHIKUES)
 

BSS123W (ONS-FAIR)
SOT-323-3 ±
A+ BSS123 (ANBON)
 

BSS123 (DIODES)
SOT-23-3 300 шт
 
A+ BSS123 SOT-23 (JSCJ)
 
 
A+ WM10N02G (WAYON)
 
SOT-323-3 3000 шт
A+ BSS123W (YJ)
 

BSS123W (ONS-FAIR)
SOT-323-3 в линейках 3000 шт
A+ BSS123 (JSCJ)
 

BSS123 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 100 шт
 
A+ WM10N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.