PXT8050

Shikues
PXT8050 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 1.5 A Power Dissipation Ptot ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-89
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ 2SC3650 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SD1802 (JSCJ)
 
— 2500 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1835 (JSCJ)
 
TO-92-3 2000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1899 (JSCJ)
 
— 1 шт
 
 — — — —
A+ 2SD2153 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SD2391 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SD886 (JSCJ)
 
TO126
 
 — — — —
A+ PXT8050 200-350 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ SS8050-G (JSCJ)
 
— 20 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
PXT8050 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 1.5 A Power Dissipation Ptot 625 mW Tj 150 O TStg - 55 to + 150 O Junction Temperature Storage Temperature Range Characteristics at Ta = 25 OC Parameter DC Current Gain at VCE = 1 V, IC = 5 mA Current Gain Group C at VCE = 1 V, IC = 100 mA D at VCE = 1 V, IC = 800 mA Collector Base Cutoff Current at VCB = 35 V Emitter Base Cutoff Current at VEB = 6 V Collector Base Breakdown Voltage at IC = 100 µA Collector Emitter Breakdown Voltage at IC = 2 mA Emitter Base Breakdown Voltage at IE = 100 µA Collector Emitter Saturation Voltage at IC = 800 mA, IB = 80 mA Base Emitter Saturation Voltage at IC = 800 mA, IB = 80 mA Base Emitter Voltage at IC = 10 mA, VCE = 1 V Gain Bandwidth Product at VCE = 10 V, IC = 50 mA Collector Base Capacitance at VCB = 10 V, f = 1 MHz REV.08 1 of 3 C C Symbol Min. Typ. Max. Unit hFE hFE hFE hFE 45 120 160 40 - 200 300 - - ICBO - - 100 nA IEBO - - 100 nA V(BR)CBO 40 - - V V(BR)CEO 25 - - V V(BR)EBO 6 - - V VCE(sat) - - 0.5 V VBE(sat) - - 1.2 V VBE - - 1 V fT 100 - - MHz COB - 9 - pF PDF
Документация на PXT8050 

Microsoft Word - 8050U

Дата модификации: 07.10.2011

Размер: 281 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)