SS24Q

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 40 В, ток до 2 А, с падением напряжения 500 мВ, ёмкостью перехода 115 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 47

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SK24 (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS34B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon
P= SS32 (YJ)
 

SS32 (ONS-FAIR)
DO214AB 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS34 (YJ)
 

SS34 (ONS-FAIR)
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS24 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS520B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SK34 SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
P= SS34BQ (YJ)
 
DO214AA
 
P= SK34 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SL24-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SM240B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS24BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SS24T3G (JSMICRO)
 
 
P= SS34F (JSCJ)
 
DO221AC в ленте 3000 шт
 
P= SS34BF (YJ)
 
в ленте 15000 шт
 
P= SS32CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SM340C (LRC)
 
DO-214AB SMC Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS34-C (ANBON)
 
DO214AB
P= SS34CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SM340AF (LRC)
 
SMAFL
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon
P= SL34-F (ANBON)
 
SMAF
 
P= SK24 (DC)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
P= SS24-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SM340BF (LRC)
 
 
P= SS34-BF (ANBON)
 
 
P= SS23 (YJ)
 

SS23 (ONS-FAIR)
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SSL24 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS24 (YOUTAI)
 
DO-214AC SMA 1 шт
 
P= SM230B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS22 (YJ)
 

SS22 (ONS-FAIR)
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS34BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SK34 (DC)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
P= SS34A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SM340A (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SM340B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS34-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SM3100B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SM240BF (LRC)
 
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon
P= SS310BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SS34BF (SHIKUES)
 
DO221AA
 
P= SS23Q (YJ)
 
 
P= SS24 T/R (DC)
 
DO-214AC SMA в ленте 5000 шт
P= SS24G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SS24 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SK320 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SS320 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SL310-B (ANBON)
 
DO214AA

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SS22Q THRU SS24Q COMPLIANT Surface Mount Schottky Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Guardring for overvoltage protection ● Low power losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, automotive and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SS22Q SS23Q SS24Q SS22 SS23 SS24 Repetitive peak reverse voltage VRRM V 20 30 40 Maximum RMS voltage VRMS V 14 21 28 Maximum DC blocking voltage VDC V 20 30 40 IO A 2.0 IFSM A 75 dV/dt V/μs 10000 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature and storage temperature TJ ℃ -55 ~+150 Maximum average forward rectified current at TL (Fig.1) Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, TJ=25℃ Voltage rate of change (rated VR) ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Instantaneous forward voltage Reverse current Typical junction capacitance SYMBOL VF IR CJ TEST CONDITIONS TYP MAX UNIT TJ=25℃ 0.5 0.55 TJ=125℃ - 0.45 TJ=25℃ 10 200 μA TJ=125℃ 4 8 mA 115 - pF V IF=2A Rated VR VR=4V,f=1MHz 1/4 S-S4275 Rev.1.1,15-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SS22Q 

Microsoft Word - SS22Q THRU SS24Q

Дата модификации: 21.09.2023

Размер: 225.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.