SS8050W

Shikues
SS8050W SS8050W TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to SS8550W MARKING: Y1 SOT–323 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ PXT8050 200-350 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ SS8050-G (JSCJ)
 
— 20 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1802 (JSCJ)
 
— 2500 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1835 (JSCJ)
 
TO-92-3 2000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1899 (JSCJ)
 
TO2522L 1 шт
 
 — — — —
A+ 2SD2153 (JSCJ)
 
SOT893L
 
 — — — —
A+ 2SD2391 (JSCJ)
 
SOT893L
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
SS8050W SS8050W TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to SS8550W MARKING: Y1 SOT–323 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 100μA, IE=0 40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= 0.1mA, IB=0 25 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA, IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=40V, IE=0 0.1 μA Collector cut-off current ICEO VCB=20V, IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= 5V, IC=0 0.1 μA hFE(1) VCE=1V, IC= 100mA 120 hFE(2) VCE=1V, IC= 800mA 40 400 DC current gain Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=800mA, IB= 80mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=800mA, IB= 80mA 1.2 V fT Transition frequency VCE=10V, IC= 50mA f=30MHz 100 MHz CLASSIFICATION OF hFE(1) REV.08 RANK L H J RANGE 120–200 200–350 300–400 1 of 3 PDF
Документация на SS8050W 

Subject:

Дата модификации: 30.05.2011

Размер: 780.4 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)