S1M-A

Диод выпрямительный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 40

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= US1M (DC)
 

US1M (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт
P= 1N4007G (SHIKUES)
 
DO214AC 4000 шт
 
P= S1ML (JSCJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
P= M7 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= FM407 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SS36AQ (YJ)
 
DO-214AC SMA
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S1MG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= GS1MQ (YJ)
 
DO214AC Surface Mount General Purpose Rectifier
P= GS1M (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= FM404 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= FM401 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= FM403 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= 1N4004G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= S1AG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= RS1M (DC)
 

RS1M (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S3M (DC)
 

S3M (DIODES)
DO214AB в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [DO-214AB]
P= RS1M (YJ)
 

RS1M (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= GS1J (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S1DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= S1G (DC)
 

S1G (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 3000 шт
P= S1M (DC)
 

S1M (DIODES)
DO214AA в ленте 3000 шт
P= GS1M (DC)
 
DO214AC в ленте 7500 шт Необходимо фото этикеток на заводской таре Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= HS1MB (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= S2MB (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= M7 (DC)
 

M7-DIO (DIOTEC)
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= HFMAF109 (LRC)
 
SMAFL
 
P= SOD4007-SH (LRC)
 
SOD123FL
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= DSR1M (ANBON)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= US1MW (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= US1M (YJ)
 

US1M (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= HS1M (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= HFM108 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= US1MG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= US1M (YOUTAI)
 

US1M (DIODES)
DO-214AC SMA в ленте 2000 шт
P= US1M-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= US1M SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= US1K (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= HFM107 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= HS1Q (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
P= HS1MQ (YJ)
 
DO214AC 100 шт Surface Mount High Efficient Rectifier

Файлы 1

показать свернуть
S1A-A THRU S1M-A 1.0A Surface Mount General Purpose Rectifiers - 50V-1000V Package outline Features The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 For surface mounted applications Low reverse leakage Built-in strain relief,ideal for automated placement High forward surge current capability High temperature soldering guaranteed: 250 C/10 seconds at terminals Glass passivated chip junction Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU Compliant to Halogen-free SMA/DO-214AC 0.108(2.75) 0.096(2.45) 0.067 (1.70) 0.051 (1.30) 0.177(4.50) 0.157(3.99) 0.012(0.305) 0.006(0.152) 0.096(2.42) 0.078(1.98) Mechanical data Case: JEDEC DO-214AC molded plastic body Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any 0.060(1.52) 0.030(0.76) 0.008(0.203)MAX. 0.208(5.28) 0.188(4.80) Dimensions in inches and (millimeters) Maximum ratings and Electrical Characteristics (AT T A=25 oC unless otherwise noted) Symbol MIN. TYP. MAX. UNIT Forward rectified current See Fig.1 IO 1.0 A Forward surge current 8.3ms single half sine-wave (JEDEC methode) I FSM 30 A PARAMETER CONDITIONS V R = V RRM T A = 25 OC Reverse current O V R = V RRM T A = 100 C 5.0 IR Thermal resistance Junction to ambient NOTE 1 R θJA 75 Diode junction capacitance f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage CJ 15 Storage temperature T STG μA 50 O pF O +150 -65 C/W C Note: 1.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas SYMBOLS *1 V RRM (V) *3 VR (V) V RMS*2 (V) S1A-A 50 35 50 S1B-A 100 70 100 S1D-A 200 140 200 S1G-A 400 280 400 S1J-A 600 420 600 S1K-A 800 560 800 S1M-A 1000 700 1000 http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482182 *4 VF (V) Operating temperature T J, ( OC) *1 Repetitive peak reverse voltage *2 RMS voltage *3 Continuous reverse voltage 1.10 -55 to +150 Page 1 *4 Maximum forward voltage@I F=1.0A Document ID Issued Date Revised Date AS-3010004 2003/03/08 2022/05/16 Revision E Page. 3 PDF
Документация на S1A-A 

Author:

Дата модификации: 24.09.2014

Размер: 1.03 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.