US1MF2

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 67

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= GS1J (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= RS2MB (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= RS1M (YJ)
 

RS1M (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= FFM107 (LRC)
 
DO-214AC SMA в ленте 11 шт
 
P= S1DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= US1MW (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= DSR1M (ANBON)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= SOD4007-SH (LRC)
 
SOD123FL
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= S2MB (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= HS1MB (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= HS1Q (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
P= HS1M (TSC)
 
DO214AA в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - [DO-214AC]; Uобр: 1 кВ; Uпрям: 1.7 В; Iпрям: 1 А; N: 1; tов: 75 н...
P= HFMAF109 (LRC)
 
SMAFL
 
P= HFM107 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= US1K (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= HS1MQ (YJ)
 
DO214AC 100 шт Surface Mount High Efficient Rectifier
P= S1M M2G (TSC)
 
DO-214AC SMA в ленте 7500 шт
P= GS1K (DC)
 
DO214AA в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - [DO-214AC] Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S1G (TSC)
 

S1G (ONS-FAIR)
DO214AC 7500 шт
 
P= HS1MF2 (TSC)
 
Выпрямительный диод - [DO-214AC]; Uобр: 1 кВ; Uпрям: 1.7 В; Iпрям: 1 А; N: 1; tов: 75 н... Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= GS1M (DC)
 
DO214AC в ленте 7500 шт Необходимо фото этикеток на заводской таре Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S1M (YJ)
 

S1M (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
1.0AMP.SURFACE MOUNT RECTIFIERS
P= S3M (TSC)
 

S3M (DIODES)
DO214AB 3000 шт
 
P= S1G (DC)
 

S1G (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 3000 шт
P= FM404 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S1M-A (ANBON)
 
DO214AC
P= FFMAF107 (LRC)
 
SMAFL
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= FM403 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= FM401 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= GS1MQ (YJ)
 
DO214AC Surface Mount General Purpose Rectifier
P= SS36AQ (YJ)
 
DO-214AC SMA
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= RS1M (DC)
 

RS1M (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S1AG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= S3M (DC)
 

S3M (DIODES)
DO214AB в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [DO-214AB]
P= S1ML (JSCJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
P= S1M (DC)
 

S1M (DIODES)
DO214AA в ленте 3000 шт
P= FM407 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= HFM108 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= GR2MA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM)
P= US1MG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= US1M SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= US1M (YOUTAI)
 

US1M (DIODES)
DO-214AC SMA в ленте 2000 шт
P= HS1M (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= US1M (YJ)
 

US1M (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= S3MR7G (TSC)
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= S3MR7 (TSC)
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= US1M-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= M7 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= M7 (YJ)
 

M7-DIO (DIOTEC)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= 1N4007G (SHIKUES)
 
DO214AC в ленте 4000 шт
 
P= US1M (DC)
 

US1M (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт
P= 1N4004G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= M7 (DC)
 

M7-DIO (DIOTEC)
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= S1MG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SMA4007 (HOTTECH)
 
в ленте 10000 шт
 
P- S1MH (TSC)
 
DO214AC 7500 шт
 
P- RS1MH (TSC)
 
DO214AC 7500 шт
 
P- RS1MF2 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- S1MBH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 
P- S1MHM2G (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- RS1MR3G (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- GR1M (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- RS1M-TR3G (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- GR1MB (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P- GS1MB (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P- GS1M (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- RS1M (TSC)
 

RS1M (DIODES)
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
US1A thru US1M Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES High Efficient Surface Mount Rectifiers - Glass passivated chip junction - Ideal for automated placement - Low forward voltage drop - Ultrafast recovery time for high efficiency - Built-in strain relief - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-214AC (SMA) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 DO-214AC (SMA) Base P/N with suffix "G" on packing code - Green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.06 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL US US US US US US US 1A 1B 1D 1G 1J 1K 1M UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ VF 1.0 V 1.7 5 IR μA 150 Maximum reverse recovery time (Note 2) Trr 50 75 ns Typical junction capacitance (Note 3) Cj 15 10 pF Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range RθjL RθjA 27 75 TJ - 55 to +150 O C TSTG - 55 to +150 O C O C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1405051 Version: J14 PDF
Документация на US1AM2G 

US1A SERIES_J14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 221.8 Кб

4 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    07 июня 2024
    новость

    Высокопроизводительный частотный преобразователь на базе компонентов JSCJ

    Благодаря постоянному развитию промышленной автоматизации, расширению областей применения и все более широкому использованию электроприводов с частотными преобразователями технология их создания также постоянно совершенствуется и развивается. В... ...читать

    19 мая 2023
    новость

    Продукция JSCJ для автономных источников питания

    При отключении электроэнергии или в местах отсутствия сетей электроснабжения обеспечить питанием различное оборудование, освещение и зарядить мобильные устройства возможно от автономных источников питания с инвертером. Схематичное устройство... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.