IRF7389

IRF7389 Dual N + P Channel MOSFET Features N-Ch: l V DS (V)=30V RDS(ON) l RDS(ON) P-Ch: l V DS (V)=-30V l RDS(ON) l RDS(ON) l l l l l l l N-CHANNEL MOSFET 1 8 S1 29m 46 m (VGS = 10V) (VGS = 4.5V) 58m 98 m D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 P-CHANNEL MOSFET (VGS = -10V) (VGS = -4.5V) Top View Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Complimentary Half Bridge Surfac...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF7389TR (YOUTAI)
 

IRF7389TR (INFIN)
 
P- NCE4606 (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
P- WM03DH60A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
P- WMS08DH04T1 (WAYON)
 
SOP8L 10 шт
 
P- YJS4606B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- JMTP240C03D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- IRF7389TRPBF-VB (VBSEMI)
 
в ленте 1600 шт
 
P- CRMM4614C (CRMICRO)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ CJQ4503 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
±
A+ IRF7105TRPBF-VB (VBSEMI)
 
SO-8 в ленте 4000 шт
 
A+ IRF9389 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ CJQ4614 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
±

Файлы 1

показать свернуть
IRF7389 Dual N + P Channel MOSFET Features N-Ch: l V DS (V)=30V RDS(ON) l RDS(ON) P-Ch: l V DS (V)=-30V l RDS(ON) l RDS(ON) l l l l l l l N-CHANNEL MOSFET 1 8 S1 29m 46 m (VGS = 10V) (VGS = 4.5V) 58m 98 m D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 P-CHANNEL MOSFET (VGS = -10V) (VGS = -4.5V) Top View Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Complimentary Half Bridge Surface Mount Fully Avalanche Rated Lead-Free Description The SOP-8 has been modfied through a customized eadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements. multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is desianed for vapor phase, inra red, orwave soldering technigues Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted) Symbol Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage V DS V GS TA = 25°C TA = 70°C Continuous Drain Current ID Pulsed Drain Current Continuous Source Current (Diode Conduction) TA = 25°C Maximum Power Dissipation TA = 70°C Single Pulse Avalanche Energy Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Peak Diode Recovery dv/dt ‚ Junction and Storage Temperature Range IDM IS Maximum P-Channel N-Channel 30 7.3 5.9 30 2.5 -5.3 -4.2 -30 -2.5 2.5 1.6 PD EAS IAR EAR dv/dt TJ, TSTG -30 ± 20 82 4.0 Units V A W 140 -2.8 0.20 mJ A mJ V/ ns 3.8 -2.2 -55 to + 150 °C Symbol Limit Units RθJA 50 °C/W Thermal Resistance Ratings Parameter Maximum Junction-to-Ambient Rev:2023A2 1 PDF
Документация на IRF7389 

EVVO IRF7389TR

Дата модификации: 03.07.2024

Размер: 806.3 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.