YJS4606B

Yangjie
RoHS YJS4606B COMPLIANT N-Channel and P-Channel Complementary MOSFET Product Summary NMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 7A ＜18mΩ ＜30mΩ PMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30V -5A ＜43mΩ ＜63mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ6601 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
P- WM03DH60A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт — — — — — —
P- WMS08DH04T1 (WAYON)
 
SOP8L 10 шт
 
 — — — — — —
P- NCE4503S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE4606 (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7319TR (YOUTAI)
 

IRF7319TR (INFIN) 		— 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CRMM4614C (CRMICRO)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CRMM4606 (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- JMTP240C03D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7105TR (YOUTAI)
 

IRF7105TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P- IRF9389TR (JSMICRO)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF9389 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P- IRF7389 (EVVO)
 

IRF7389 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —
P- IRF7389TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 1600 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7309 (EVVO)
 

IRF7309 (INFIN) 		SOP-8 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS4606B COMPLIANT N-Channel and P-Channel Complementary MOSFET Product Summary NMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 7A ＜18mΩ ＜30mΩ PMOS ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30V -5A ＜43mΩ ＜63mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Wireless charger ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol NMOS PMOS Unit Drain-source Voltage VDS 30 -30 V Gate-source Voltage VGS ±20 ±20 V 7 -5 4.4 -3 60 -40 2 2 0.8 0.8 -55～+150 -55～+150 TA=25℃ Drain Current ID A TA=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation B A PD W TA=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ ■Thermal resistance NMOS Parameter PMOS Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient C Steady-State RθJA Units Typ Max Typ Max 50 60 50 60 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) YJS4606B F2 4606B 4000 8000 OUTER CARTON DELIVERY MODE QUANTITY(pcs) 64000 13“ reel 1 / 10 S-E344 Rev.1.0,09-May-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS4606B 

Дата модификации: 10.05.2023

Размер: 590.4 Кб

10 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCO

    Новые серии MOSFET производства SUNCO – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)