SI2300DS-T1-GE3-VB

VBSemi
SI2300DS-T1-GE3 www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 20 ID (A)e RDS(on) (Ω) 0.028 at VGS = 4.5 V 6a 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 0.050 at VGS = 1.8 V 5.6 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qg (Typ.) 8.8 nC APPLICATIONS • DC/DC Converters • Load...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMR09N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — —
A+ SI2302DS-T1-GE3 (VBSEMI)
 
— 3000 шт
 
 — —
A+ IRLML6244TR (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WM02DN080C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ FS8205A (TECH PUB)
 
SOT236 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ IRLML6246TRPBF (TECH PUB)
 

IRLML6246TRPBF (INFIN) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ IRLML6244TRPBF (TECH PUB)
 

IRLML6244TRPBF (INFIN) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ IRLML6244 (HOTTECH)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ WM02N70M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRLML2402TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ IRLML6246TRPBF (VBSEMI)
 

IRLML6246TRPBF (INFIN) 		— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ FDV303N-VB (VBSEMI)
 
— 3000 шт
 
 — —
A+ YJQ2012A (YJ)
 
DFN2020MD6 в ленте 3000 шт
 
 —
A+ YJL2312AL (YJ)
 
— в ленте 3000 шт
 
 —
A+ YJL2312A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 —
A+ YJJ12N02A (YJ)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJJ08N02A (YJ)
 
SOT236 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ NCE9926 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ JMTL2312A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ SI2300A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
A+ WM02DN085C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
SI2300DS-T1-GE3 www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 20 ID (A)e RDS(on) (Ω) 0.028 at VGS = 4.5 V 6a 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 0.050 at VGS = 1.8 V 5.6 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qg (Typ.) 8.8 nC APPLICATIONS • DC/DC Converters • Load Switch for Portable Applications SOT-23 G 1 3 S D 2 Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Symbol VDS VGS TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) Limit 20 ± 12 ID 5b, c 4b, c 20 1.75 IDM TC = 25 °C TA = 25 °C TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C Continuous Source-Drain Diode Current Maximum Power Dissipation TA = 70 °C Operating Junction and Storage Temperature Range V 6a 5.1 TA = 70 °C Pulsed Drain Current Unit IS A 1.04b, c 2.1 1.3 PD W 1.25b, c 0.8b, c - 55 to 150 260 TJ, Tstg Soldering Recommendations (Peak Temperature) °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambientb, d Maximum Junction-to-Foot (Drain) t≤5s Symbol RthJA Typical 80 Maximum 100 Steady State RthJF 40 60 Unit °C/W Notes: a. Package limited b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board. c. t = 5 s. d. Maximum under steady state conditions is 125 °C/W. e. Based on TC = 25 °C. E-mail：China@VBsemi TEL:86-755-83251052 1 PDF
Документация на SI2300DS-T1-GE3 

VB1240.PDF Keywords:

Дата модификации: 18.10.2023

Размер: 808.5 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)