YJJ08N02A

Yangjie
RoHS YJJ08N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= 2.5V) ● RDS(ON)( at VGS= 1.8V) 20V 8.0A ＜18mohm ＜22mohm ＜39mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT236
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJL8820 (JSCJ)
 
SOT236L
 
 ± — — — — —
A+ WMR09N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — —
A+ AO4404 (YOUTAI)
 
—
 
 — —
A+ WM02N75M2 (WAYON)
 
SOT233L 1 шт
 
 — — — — — —
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN095C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN085C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN080C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ YJQ2012A (YJ)
 
DFN2020MD6 в ленте 3000 шт
 
 —
A+ YJL2312AL (YJ)
 
— в ленте 3000 шт
 
 —
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ CJMN2012 (JSCJ)
 
—
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJJ08N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● RDS(ON)( at VGS= 2.5V) ● RDS(ON)( at VGS= 1.8V) 20V 8.0A ＜18mohm ＜22mohm ＜39mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 8 TA=25℃ Drain Current ID A 6.4 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM 32 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 1.5 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 83 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJJ08N02A F2 8N02 3000 30000 120000 7’ 1/7 S-E675 Rev.1.0,07-Feb-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJJ08N02AF2 

Microsoft Word - YJJ08N02A Rev1.0

Дата модификации: 07.02.2021

Размер: 962.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)